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三星称在GAA技术领先台积电一年 更超前英特尔两到三年
2019-12-13 11:03:52  来源:人民网 
三星称在GAA技术领先台积电一年 更超前英特尔两到三年

尽管日韩贸易冲突持续延烧,电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家先进制程技术,并提供用于生产3纳米以下芯片,名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程。三星据称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一年,更超前()两到三年。

南韩媒体BusinessKorea报导,三星28日宣布,2019年「三星晶圆代工论坛」(SFF)将如期于9月4日在东京举行,且已于26日在网站上开始受理报名。在日韩贸易紧张不断升高之际,业界正怀疑这场论坛能否如期在东京举行,三星这项决定消弭了外界的疑虑。

产业专家分析,三星想要传达的讯息是,尽管面临日本的「断货」威胁,三星电子旗下的晶圆代工事业不受中断。

报导指出,三星将展示自家奈米制程技术,并提供名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程套件。GAA技术将用于3纳米、甚至更精密的制程技术。

日本当局在4日加强管制三项重要半导体原料的出口,其中,日制光刻胶为极紫外光(E)微影技术的关键材料,让三星的晶圆代工部门首当其冲,也削弱与台积电在7纳米芯片的竞逐能力。

EUV制程是三星欲在2030年于全球记忆体、无晶圆厂及晶圆代工业务稳坐龙头宝座的关键。在EUV制程与台积电旗鼓相当的三星电子,正快马加鞭量产7纳米芯片,盼能借提前进度超车台积电。但日本本周非常可能把南韩踢出「白色名单」,三星的高科技原料进口预料将更加受限。

三星预定未来几个月完成位于华城的第一条EUV芯片产线,并计划之后在京畿道平泽建设另一条EUV产线。如今,三星一名高阶主管指出,「考量到当前情况,我们必须考虑投资新EUV产线的时机」。

三星电子自5月开始陆续在美国、上海及首尔举办晶圆代工论坛,待9月论坛落幕后,下一场将论坛于10月在德国慕尼黑登场。

台积电回应: 有信心维持领先

面对三星积极冲刺晶圆代工,并企图在3 纳米制程超车台积电,台积电发言系统表示,不对竞争对手的技术发展做任何评论,并强调绝有信心在7纳米、5纳米,甚至3纳米制程持续维持全球领先地位。

台积电供应链分析,台积电在制程推进深思熟虑,且有雄厚客户群为后盾,让台积电每推出一项先进制程,绝对满足客户的性价比,且不与客户竞争,是领先群雄的最大利基。

台积电目前的7纳米电晶体的密度,已非三星能匹敌,台积电遥遥领先三星后,再导入更先进的5纳米制程,虽然三星急于想在3纳米切入GAA电晶体设计架构,认为要用更先进的技术,抢食台积电现有客户,但进入5纳米后的光罩费用极为昂贵,更遑论3纳米制程。

三星虽然在记忆体一直保持领先地位,因此也想复制记忆体成功模式,在晶圆代工挑战台积电地位。

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作者:admin
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